Samsung совместно с IBM объявили о разработке прорывной технологии вертикального размещения транзисторов на чипе. Говорят, что благодаря этому смартфоны смогут работать больше недели без подзарядки.
Анонс случился на мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting 2021, пишет The Verge.
Если в текущих решениях транзисторы лежат на подложке, то теперь их можно размещать друг над другом. Технология называется Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET). Она позволяет обойти существующие ограничения и в перспективе преодолеть рубеж в 1-нм.
Читайте такжеSamsung запустила в Украине официальный интернет-магазинПо оценкам производителей, чипы с новой архитектурой будут в 2 раза превосходить по производительности или на 85% – по энергоэффективности современные FinFET-чипы, которые используются, в том числе в современных микросхемах производства TSMC.
Когда новая технология будет реализован в коммерческом проекте, IBM и Samsung не уточнили.
А пока другой техногигант Xiaomi готовит свою революцию в мире аккумуляторов для смартфонов. Их инновационная технология позволит увеличить время автономной работы смартфонов более чем на полтора часа. Первые смартфоны с такими аккумуляторами ожидаются на полках магазинов в конце 2022 года.
