Первым массовым устройством с новой памятью может стать серия Galaxy S27, выход которой ожидается в начале 2027 года.
Samsung представила новое поколение встроенной памяти UFS 5.0, которое стало самым быстрым в отрасли. Решение в первую очередь предназначено для смартфонов и планшетов и обещает существенно ускорить работу ИИ непосредственно на устройствах, пишет SamMobile.
UFS 5.0 предлагает скорость чтения информации до 10,8 ГБ/с и записи до 9,5 ГБ/с. Это более чем вдвое превышает показатели UFS 4.1 и уже сопоставимо по пропускной способности с мобильной DRAM уровня LPDDR5X. Еще пару лет назад подобное было недостижимо для NAND-накопителей.
Для пользователей это означает более быстрый запуск приложений, передача файлов и в целом болея отзывчивая работа их устройств. Также рост скорости напрямую влияет на сценарии "ИИ-на-девайсе". Более высокая пропускная способность позволяет сократить задержки и сделать взаимодействие с ИИ-сервисами заметно быстрее.
Отдельно в Samsung отмечают более высокую энергоэффективность – на 40% по сравнению с UFS 4.1. В теории это должно положительно сказаться на времени автономной работы. Для достижения таких показателей компания использовала технологии clock gating и multi voltage, которые оптимизируют работу чипа и сокращают ненужные затраты электроэнергии.
Массовое производство UFS 5.0 планируется начать в 4-м квартале 2026 года. Объемы накопителей будут достигать 1 ТБ. Помимо смартфонов и планшетов, технология также рассчитана на использование в ноутбуках, умных часах и устройствах расширенной реальности (XR).
Первым массовым устройством с новой памятью может стать серия Galaxy S27, выход которой ожидается в начале 2027 года.
Ранее в этом месяце Samsung представила бюджетный смартфон, который будет получать обновления аж до 2032 года. Также Galaxy A27 получил переработанный внешний вид и защиту Gorilla Glass Victus+.